Resistores de chips de RF 2W-800W DC-18GHz para estações de base e equipamentos de ensaio

Esta série deResistores de chips de RF, terminações e atenuadores é projetado para circuitos de energia de alta frequência.oferecendo excelente dissipação de calor e estabilidade térmica. Impedância padrão é de 50Ω. A faixa de potência abrange 2W a 800W. A faixa de frequência é DC a 18GHz. Vários tipos de pacotes estão disponíveis, incluindo chips, estilos de montagem de chumbo e flange.Estes se adaptam a vários requisitos de layout de circuito de RFSão amplamente utilizadas em estações de base de comunicação, equipamento de ensaio e medição, amplificadores de potência, isoladores.

• Impedância padrão 50Ω
• Tolerância de resistência ± ± 3%, ± 5%
• Faixa de potência 2W a 800W
• Faixa de frequência DC a 18 GHz
• Material de substrato AlN, Al2O3
• Coeficiente de temperatura ± 150 ppm/°C
• Temperatura de funcionamento -55°C a + 175°C
• Material do eléctrodo níquel + prata

• Amplificadores de potência de estações-base de comunicação
• Equipamento de ensaio e medição de RF
• Outros aparelhos de comunicação por satélite
• Aparelhos e aparelhos de medição de ondas
• Equipamento de transmissão de televisão
• Equipamento médico de radiofrequência
• Sistemas de aviação

P: Quais são as vantagens do substrato de AlN em comparação com o Al2O3?

R: O AlN (nitruro de alumínio) oferece maior condutividade térmica (aproximadamente 170 W/mK), proporcionando melhor dissipação de calor para aplicações de RF de alta potência.Al2O3 (óxido de alumínio) é mais barato e adequado para aplicações de pequena ou média potência. Ambos oferecem bom isolamento e estabilidade térmica.

P: Que impacto tem o VSWR nos sistemas de RF?

R: Quanto mais próximo o VSWR estiver de 1:1, quanto melhor a correspondência de impedância, resultando em menos reflexão de sinal e maior eficiência de transferência de potência.20:1, assegurando uma excelente correspondência de impedância numa ampla gama de frequências e reduzindo a reflexão do sinal e a perda de potência.

P: Como selecionar a potência para terminações?

R: A potência nominal da terminação deve ser de 1,5 a 2 vezes a potência RF real para garantir uma operação fiável a longo prazo.Devem igualmente ser tidas em conta a temperatura ambiente e as condições de dissipação de calor.Quando operando acima de 70°C, é necessária uma redução de potência por curva de redução de potência.

P: Que tipos de pacotes são suportados para esta série?

R: São suportados três tipos de pacotes: Chip (SMD), Leaded e Flange Mount. O tipo de chip é adequado para linhas de produção SMT automatizadas. O tipo de lead é adequado para solda manual e prototipagem.Montar flange fornece a melhor dissipação de calor e é adequado para aplicações de alta potência.